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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 10. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=20V
25 V
400
14
28
0 20050
100 150
18
16
24
22
26
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
35 V
40 V
50 V
20
250 300 350
45 V
35
35
60
10
25_C
TC
=--30_C
85_C
20 3025
15
50
45
40
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 11. Power Output versus Power Input
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
=50Vdc
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
55
22
29
5
10
80
10
28
26
24
70
60
50
40
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
27
25
23
100 600
25_C
TC
=--30_C
85_C
85_C
-- 3 2
-- 2 8
-- 2 9
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 3
IMD3 (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
240
160
IMD3
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. VHF Broadcast Broadband Performance
230
220
210
200
190
180
170
25
24
15
65
55
45
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
22
20
18
16
15
23
21
19
17
60
50
35
25
ηD
VDD
=50V,Pout
= 300 W (Peak)
IDQ
= 1100 mA, Tone--Spacing = 100 kHz
Gps
VDD
=50Vdc
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
25_C
-- 3 0_C
30 V
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